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DRAM新聞

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?SK海力士將于2月量產1c DRAM,而三星則推遲半年

?SK海力士將于2月量產1c DRAM,而三星則推遲半年

在 SK 海力士即將公布第四季度業(yè)績之前,另一家韓國內存巨頭三星可能再次陷入困境。據 MoneyToday 報道,該公司已將其 10nm 級第六代 (1c) DRAM 的開發(fā)再推遲六個月,將目標日期推遲到 2025 年 6 月。SK海力士或將于2月開始量產1c DRAMMoneyToday 在之前的報道中透露,SK 海力士最快將于 2 月成為全球第一家使用 1c 工藝大規(guī)模生產 DRAM 的公司。根據該報告,SK 海力士最近完成了 1c DDR5 的量產認證。三星的 HBM4 生產面臨潛在的延遲然而,消.
01-27
投資21.7億美元,美光宣布擴建美國弗吉尼亞州DRAM工廠

投資21.7億美元,美光宣布擴建美國弗吉尼亞州DRAM工廠

2025年1月1日消息,美光公司總裁Glenn Youngkin表示,美光公司計劃投資21.7億美元擴建其在美國弗吉尼亞州馬納薩斯的半導體工廠,將提高其在美國的半導體產能。該項目將升級該設施,為工業(yè)、汽車、航空航天和國防應用生產專用DRAM存儲器,預計將創(chuàng)造340個就業(yè)機會。本月早些時候,美國商務部宣布,已根據《芯片與科學法案》向美光提供了2.75億美元的聯邦資金,用于升級其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的長周期DRAM晶圓廠,并將汽車行業(yè)的DRAM生產從中國臺灣...
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